碳化硅衬底的生长加工流程概述

作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅因具备宽带隙、高热导率、高击穿电场以及大电子迁移速率等性能优势，是制作高压、高频、高功率器件的理想材料，可有效突破传统硅基功率半导体器件的物理极限，被誉为带动“新能源革命”的绿色能源材料。在功率器件的生产制造流程中，碳化硅单晶衬底的生长和加工是决定性能和良率的关键环节，下面简要概述其生长和加工过程：

全球储能电池市场：高速增长下的多区域机遇与挑战

　据全球液流电池网获悉，在能源转型的大背景下，全球储能电池市场正呈现出前所未有的高速增长态势。据预测，2025年全球储能电池需求将介于500 - 550GWh之间，2026年更是在此基础上同比增长35%，达到700GWh，而到2030年，这一数字将飙升至1500GWh。国内市场潜力不容小觑。按照规划，2030年国内光伏存量目标为2000GW，若按照25%的功率配比以及4小时的配储时长来计算，对应的储能需求高达2000GWh，年均需求接近400GWh。而2025年装机量仅为150GWh，这意味着未来几年国内储能市场有着极为显著的增长空间。海外市场中，欧洲和新兴市场维持着50% - 100%的高增速，美国市场虽然面临着一些政策扰动。从价格层面来看，供需紧张的局面推动了电芯价格的上涨，行业景气度持续攀升，头部企业的盈利有望得到进一步提升。像宁德时代、阳光电源等核心标的，估值合理且具备催化剂，备受市场关注。

国内碳化硅半导体正全面崛起

近期，Wolfspeed、英飞凌、安森美、天岳先进、三安光电等国内外头部SiC（碳化硅）半导体企业陆续发布2025年半年度报告或季报。数据显示，国内企业借SiC东风快速崛起，国际巨头则因转型缓慢面临挑战。这场由技术革新引发的市场变局，不仅重塑行业竞争格局，也为相关产业链带来新的发展契机