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2024-12-16
8英寸4H-SiC同质外延中缓冲层厚度对缺陷率的影响
近年来，由于大直径、高质量SiC晶体的出现，基于4H-SiC的器件技术取得了显著进步。增大晶片尺寸同时降低缺陷密度是4H-SiC单晶衬底的发展趋势，以降低器件成本。为此，200mm (8英寸) SiC衬底正逐步进入市场，以取代目前的150mm (6英寸)技术。
2024-12-13
每天一篇液流小知识~毅富能源
于珠海市香洲区的毅富能源科技（广东）有限公司（以下简称“毅富能源”）正是这一赛道中的佼佼者——公司采用液流电池技术，将传统锂电池2-4小时的储能时长延长至10小时，其独立研发的电堆实现了400mA/cm²的额定电流密度，可以有效降低液流电池建造成本 ，赢得行业内外的广泛认可。
2024-12-12
SiC价格跳水，开启下半场战役！
2023 年，国内碳化硅（SiC）衬底行业涌入大量的玩家，众多项目在全国各地落地，产能扩张达到空前规模。 据行业数据显示，2023 年国内 SiC 衬底的折合 6 英寸销量已超过 100 万片，许多厂商的产能爬坡速度超过预期。直至如今，6 英寸 SiC 衬底的扩产动作仍在继续。
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