12英寸碳化硅衬底拟分两阶段进入CoWoS封装领域

在8英寸碳化硅晶圆市场经历两年价格下跌与商业化进程放缓后，行业正将新希望寄托于AI芯片的先进封装技术。业内消息称，12英寸碳化硅衬底正被探索用于台积电的CoWoS架构，有望在电动汽车与太阳能领域之外，开辟一个更高价值的市场。

川承储能与安阳市北关区洽谈全钒液流储能产业合作

据全球液流电池网获悉，10月12日，河南省安阳市北关区委常委、宣传部部长、副区长秦瑞光一行莅临陕西川承储能科技有限公司参观调研。双方围绕全钒液流储能技术发展、产业合作等议题展开深入交流。

碳化硅衬底的生长加工流程概述

作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅因具备宽带隙、高热导率、高击穿电场以及大电子迁移速率等性能优势，是制作高压、高频、高功率器件的理想材料，可有效突破传统硅基功率半导体器件的物理极限，被誉为带动“新能源革命”的绿色能源材料。在功率器件的生产制造流程中，碳化硅单晶衬底的生长和加工是决定性能和良率的关键环节，下面简要概述其生长和加工过程：