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SiC衬底激光剥离技术取得重要进展，出片率提高40%

近年来，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的物理和化学性质，广泛应用于低功耗、小型化、高压、高频的电子器件中。然而，SiC因其莫氏硬度高达9.5，使得其加工过程成为一项技术难题。传统的切割工艺存在材料损耗和加工时间长等问题，制约了SiC的高效加工和广泛应用。

重大政策发布：国家八部门联合印发《新型储能制造业高质量发展行动方案》

2025年2月17日，工信部、国家发展改革委、教育部、商务部、市场监管总局、国家知识产权局、国家能源局、国家消防救援局共八部门联合印发《新型储能制造业高质量发展行动方案》。

6英寸SiC衬底价格趋于稳定，市场复苏不明显

近日，环球晶董事长徐秀兰表示，尽管当前6英寸碳化硅（SiC）衬底的价格已趋于稳定，但市场复苏仍然存在不确定性。中国台湾的制造商正专注于开发8英寸SiC衬底，预计2025年对SiC市场的预期仍然较为保守，但2026年的市场前景则更为乐观。

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