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2024-11-14
杭州谱析光晶申请能够减少寄生电荷量的 SiC VDMOSFET 结构专利，提高 MOS 半导体导通后的稳定性
金融界 2024 年 11 月 11 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种能够减少寄生电荷量的 SiC VDMOSFET 结构”的专利，公开号 CN 118919564 A，申请日期为 2024 年 7 月。
2024-11-13
中控技术申请全钒液流电池一体化电极框及电堆专利，提高电堆的密封性能
金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，中控技术股份有限公司申请一项名为“一种全钒液流电池一体化电极框及电堆”的专利，公开号CN 118919758 A，申请日期为2024年6月。
2024-11-12
多家 SiC 企业公布最新业绩，2024 年营收有喜有忧
近日，意法半导体、士兰微等多家 SiC 企业公布了最新的业绩报告。
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