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PVT法与液相法，谁将突破SiC单晶生长的技术瓶颈？

碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，因其耐高温、高频、高压等特性，在新能源汽车、5G通信、光伏发电等领域掀起技术革命。然而，其单晶生长技术的高门槛一直是行业痛点。目前主流的物理气相传输法（PVT法）与新兴的液相法（LPE法）各具优势，也面临不同挑战。本文将深度解析这两种技术的工艺差异、核心难点与未来前景。

伟力得：计划3月份开始建设乐山100MW/400MWh全钒液流电池独立新型储能试点示范项目

2月19日，在乐山高新区全钒液流电池储能产业园内，一座座崭新的厂房如雨后春笋般拔地而起，白色的墙体与周围的自然景色交相辉映，构成了一幅现代化工业与自然和谐共存的画卷。

SiC衬底激光剥离技术取得重要进展，出片率提高40%

近年来，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的物理和化学性质，广泛应用于低功耗、小型化、高压、高频的电子器件中。然而，SiC因其莫氏硬度高达9.5，使得其加工过程成为一项技术难题。传统的切割工艺存在材料损耗和加工时间长等问题，制约了SiC的高效加工和广泛应用。

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