碳化硅（SiC）是第三代宽禁带半导体材料，相较硅（Si）具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率等特性，成为高压、高频、高温功率器件的首选材料。
应用领域从**新能源汽车（IGBT→SiC MOSFET）**扩展至光伏逆变器、储能、工业控制、轨道交通、数据中心等。
以特斯拉Model 3为分水岭，车用SiC功率模块大规模导入（2018~），随后比亚迪、蔚来、小鹏等国内车企跟进，国产产业链加速。
全球电动汽车产量2024年预计超1200万辆，SiC器件在主流车型中的渗透率持续提升。
Yole、TrendForce、ICWise等多家机构预测，2025年全球SiC衬底需求约250万片（6英寸当量），到2029年有望达700万片。
单车用量不断提升，主流平台已升级至800V/900V，带动SiC器件价值量倍增。
整车成本压力：SiC成本仍显著高于传统Si方案，主流乘用车渗透需依赖电池降本、平台高端化。
终端需求波动：2024年全球车市增速放缓，欧美高端品牌推迟纯电目标。部分品牌调整新能源战略（如奔驰、宝马、丰田、福特），对纯电平台、SiC用量进行动态优化。
应用多元拓展：储能、光伏、电网、工控等新兴领域需求虽增长快，但绝对规模远小于车载主战场。
头部玩家2023~2025年纷纷“抢跑”：Wolfspeed、ST、英飞凌、安森美、ROHM、三安、天岳、天科合达、三安光电、意法重庆合资等，6/8/12英寸多点开花。
2025年全球SiC衬底产能预计达400万片，国内主力工厂月产量快速提升，如三安系单月产能已破万片。
国家大基金、地方政府专项补贴、资本市场热钱推波助澜，“SiC是新能源核心材料”的共识让投资极度激进。
国内地方政府竞相招商，部分项目为产业链配套主动让利，导致短期“重复建设”、同质化严重。
行业数据显示，2024年下半年多家厂商产能利用率不足70%，部分中小厂商实际产出远低于设计能力。
价格战提前上演：6英寸衬底价格由年初的4,500元/片跌至年末2,800元/片以下，不少企业接近盈亏平衡线甚至亏损销售。
高预期扩产→短期需求释放不及预期→产能过剩导致价格跳水。
头部企业为抢占市场份额，采用薄利多销策略，降本压力迅速向上游原材料/设备传导。
龙头企业拥有规模经济、自主装备、技术壁垒，可承受更低售价。
中小厂商因技术/资金劣势，在价格战中加速淘汰。
国外：Wolfspeed/ROHM主攻高端、持续投资8英寸/12英寸线；ST、英飞凌、安森美推进全产业链自有化，强化垂直整合。
国内：三安光电8英寸产能持续提升，天岳/天科合达向高端衬底冲刺；意法重庆、比亚迪半导体、蔚来、理想、小鹏均加强自研自产/垂直协同，提升国产化率和技术壁垒。
安意法半导体重庆合资公司、比亚迪/三安/小鹏等“主机厂+材料厂”协同。
与台湾茂矽、朋程、世界先进、汉磊、鸿扬科技等合作，补齐本地化短板。
产业资本/地方投资热情高涨，但部分项目未形成产业协同、导致“有产能、无市场”。
政策导向趋向理性，2024年后多地收紧对产能项目的支持，转向鼓励技术创新、下游应用和全链生态。
负债高企、补贴不确定、业绩下滑，反映出激进扩产可能带来的系统性风险和市场周期压力。
SiC多种多晶型（4H、6H、15R等）之间性能差异显著，工艺控制难度大；GaN（氮化镓）以高频高效优势渗透充电、快充、电源等新兴场景。
技术路线博弈未定，部分高端应用场景或倾向GaN，需密切关注替代进展。
长期循环加热/冷却易致结构相变、器件失效，需进一步完善测试标准与可靠性保障。
蔚来、比亚迪、小鹏、小米等推行自研自产SiC模块，强化平台垂直整合，实现降本增效。
车用SiC模块价格已降至1,500元/只左右，充电效率、可靠性同步提升。
奔驰、宝马、丰田等均未激进“押注”纯电，选择多路径并行，新能源车渗透速度不及预期直接影响SiC需求释放节奏。
2025-2026年或为SiC行业洗牌窗口，部分产能出清，技术与协同能力突出企业有望脱颖而出。
随着充电、储能、工业控制、轨道交通、数据中心等场景应用拓展，SiC市场需求将持续增长。
企业需理性评估产能扩张步伐，重视技术创新、下游协同和市场需求真实增长。
政策层面应进一步引导资本回归理性，重点鼓励技术攻关和产业链“卡脖子”环节突破。
