1.1 专利申请主体结构演变

• 日本企业：依旧在结构创新、工艺改进和中高压应用领域占据绝对优势，形成以东芝、电装/丰田、富士电机、住友电工、三菱电机为主的“专利铁三角”。

• 中国力量崛起：泰科天润以高频率实用新型和结构专利的申请，成为全球前三大申请方。越来越多中国企业和高校涉足SiC技术专利布局，显示中国在宽禁带半导体领域的创新活力正逐步释放。

• 美国/欧洲巨头：Wolfspeed、Rohm、意法半导体、安森美等传统巨头保持持续投入，聚焦高性能功率器件和先进封装领域。

1.2 专利权利人动态与转让趋势

• 专利到期与放弃加速：Wolfspeed专利放弃比例上升，体现了成本控制、战略聚焦和资产流动性管理的多重诉求。行业头部企业通过主动“瘦身”，聚焦核心技术资产。

• 专利转让与联合开发：产业并购带动专利整合。Qorvo与United Silicon Carbide的专利转移，反映出onsemi收购后的资产整合；日产-雷诺联盟、国内高校与企业之间的协同开发案例表明，知识产权合作模式趋于多元。

二、技术路线：材料、结构、系统全面开花

2.1 材料创新——攻克大尺寸与高均匀性

• SICC山东天岳等持续在12英寸/8英寸大尺寸衬底、低内应力、低缺陷密度等方向进行专利布局，为后续SiC下游应用（车规、高压、工业大功率等）提供基础保障。

• PCT专利全球同步：越来越多中国企业在欧美、日韩等重点市场同步布局国际专利，提升全球话语权。

2.2 器件结构——多方向并进

• 超结（Superjunction）MOSFET：东芝、罗姆等发力高压低损耗SiC超结结构，助力电动车主驱和工业变频等领域高压场景突破。

• 结型场效应晶体管（JFET）与绝缘栅双极型晶体管（IGBT）：安森美、日立、格芯等深化SiC在传统高压场合的性能和工艺优势。

• 创新型沟槽设计：日产-雷诺联盟对沟槽栅结构的优化，不仅提升可靠性，也推动器件在高温、大电流场合下的稳定运行。

• 普渡大学等学研机构关注极限缩小沟道长度、降低比导通电阻等物理极限挑战，探索“极限摩尔律”下的新型功率器件可能性。

2.3 模块与封装——高集成与高温耐受

• 三电平模块、倒装芯片预模封装、高温可靠性键合成为专利热词。Semikron Danfoss、安森美等通过新型模块结构和先进封装材料设计，大幅提升大电流、大功率SiC模块的散热与可靠性，拓展其在电动汽车主驱、充电桩、轨道交通等极端工况下的应用边界。

三、应用场景：高价值赛道持续扩容，专利分布高度分化

3.1 电动车主驱、储能、核能、航空航天成为主攻方向

• 国际企业持续巩固在高压车用、航空航天、核能与工业控制等高壁垒赛道的技术和专利壁垒。典型如Allegro Microsystems的DC母线放电控制、Caterpillar的兆瓦级便携充电系统、日立的极端环境测量系统。

• 中国企业与高校则以数量优势快速布局，在特定新兴细分领域（如光伏逆变、数据中心、储能、电力电子等）具备“卡位”潜力，但高端核心专利（如高压/高频极限性能）仍以国际巨头为主。

3.2 专利生态与“生态型卡位”

• 单一器件专利逐渐向全链条、全系统协同创新转变。例如，从单一SiC MOS结构，到模块化系统封装，再到应用端的系统集成控制，形成了从材料-器件-系统-应用的专利“闭环”。

• 协同开发、交叉许可、知识产权联盟成为新趋势，未来行业领先者的“生态护城河”将在专利协同与系统集成度上持续拓展。

四、风险与趋势

4.1 专利壁垒与诉讼风险

• 本季度未发现新增专利诉讼，但专利壁垒持续拉高，专利交叉授权及专利池协作日益重要。中企“出海”及产品全球化应高度关注专利合规与诉讼防御。

4.2 新进入者与“专利混战”

• 超15家新进入者（多为中国机构/企业），显示全球创新活跃度上升，但也带来专利重叠、无效专利增多、潜在专利冲突等新挑战。

4.3 “专利到产品”转化

• 下一步全球竞争焦点，将从专利数量与布局深度转向**“专利能否转化为量产能力、系统解决方案和下游授权收益”**。谁能率先实现专利到产业、市场和盈利的高效闭环，谁将在SiC产业下半场占得先机。

结语

2025年Q1全球SiC专利竞争格局正在加速重构，既有日本、欧美巨头深耕高端技术壁垒，也有中国企业/机构数量爆发、布局多元。材料、器件、封装、系统与终端应用专利协同趋势明显，专利池、联盟、协同创新成为核心竞争力。未来一至两年，行业壁垒将不断抬高，全球化创新能力、专利协同与商业化落地速度将成为决定行业领军者的核心分水岭。