四川骏瑞碳纤维材料有限公司

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紧跟大尺寸时代，又2家企业成功研发12英寸SiC衬底！

SiC作为第三代半导体材料的代表，具有高禁带宽度、高硬度和耐磨性、高热导率等优异特性，是制造高压、高温、高频功率器件的理想材料。但大尺寸SiC晶体的制备一直是全球技术难题，此前行业主流量产尺寸仍为6-8英寸衬底。

总投资约9亿元！广东惠州惠阳区拟建100MW/400MWh铁铬液流电池独立新型储能电站

今年5月，中海储能科技（北京）有限公司宣布完成超亿元Pre-A++轮融资。此次融资由蚂蚁集团领投，君恒投资、北京昌平中小企业成长投资基金跟投，资金将主要用于技术研发及产能扩大。中海储能历史投资人为红杉中国、源码资本、清流资本和经纬中国。

清橙半导体：碳化硅“一炉多锭反平行流生长”取得重大突破

在碳化硅单晶材料制备的关键环节上，国产力量再迎里程碑突破。近日，苏州清橙半导体科技有限公司宣布，其与清华大学联合研发的“液相法一炉多锭反平行流生长技术”取得重大进展，率先实现4颗P型碳化硅晶体的稳定同步生长，标志着该公司成为全球首个掌握该技术的半导体企业，填补了液相法碳化硅晶体生长在多锭规模化方面的技术空白。

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