根据集邦咨询的数据，碳化硅在电动汽车、可再生能源等对功率密度和效率要求极高的应用市场中，正加速渗透，未来几年整体市场需求预计将持续增长。预计到2028年，全球SiC功率器件市场规模将达到91.7亿美元。

   碳化硅的应用市场：电动车与5G通信双轮驱动

   目前，SiC的两大主要应用市场分别为：一是电动汽车逆变器、充电桩、太阳能发电和直流电网中替代硅基IGBT；二是SiC衬底承载氮化镓（GaN）用于5G基地台的射频功率放大器（RF功率放大）。在这些领域，SiC的高效率、高功率密度特性使其成为理想的材料，推动了其在全球范围内的快速渗透。

   在SiC产业链中，衬底作为关键原材料，技术含量高，是最具价值的领域之一。SiC元件的成本中，衬底的占比至少达到50%。随着SiC的应用不断扩大，衬底的生产技术和产能需求也随之增加。

   市场挑战：供过于求导致价格暴跌

   外媒报道称，2024年SiC市场出现供过于求的现象，导致价格跌破生产成本，并扰乱了全球供应链。徐秀兰透露，6英寸SiC衬底的价格已暴跌超过50%，降至前所未有的低点。尽管6英寸SiC衬底价格已趋于稳定，但短期内市场的复苏尚不明显。

   随着SiC衬底价格的暴跌，一些小型企业面临盈利压力，甚至陷入困境，导致行业内的竞争愈发激烈。然而，尽管价格波动，SiC市场的长期前景依然被看好，特别是在电动汽车、可再生能源和5G通信等快速增长的市场需求推动下。

   设备端技术进步：提升生产效率与质量

   徐秀兰还表示，碳化硅长晶设备及切割、研磨、抛光等加工设备的技术正在不断进步。新型长晶设备不仅提高了碳化硅晶体的生长速度，还提升了晶体的质量。而先进的加工设备能够进一步优化衬底的平整度和表面质量，从而更好地满足高端芯片制造的要求。

   随着设备技术的进步，SiC衬底的生产效率和质量有望得到显著提升，这将为未来更高效、低成本的SiC器件制造奠定基础，进一步推动SiC在多个高端应用领域的普及。

   结语

   尽管当前市场面临价格波动和供需失衡等挑战，SiC行业的长期前景仍然光明。随着8英寸SiC衬底的研发和生产逐步推进，SiC衬底市场的供应能力将进一步提升，预计将在未来几年继续保持增长态势。同时，设备端技术的持续进步也将为SiC衬底的高效生产提供有力支持。总体来看，SiC行业将在技术进步、市场需求和供需平衡的共同推动下，迈向更加健康和可持续的发展阶段。