碳化硅产业的淘汰赛：挑战与应对之道

今年以来，碳化硅产业面临了艰难挑战，产业竞争开始进入“淘汰赛”阶段，已有企业宣告破产。预计明年，碳化硅制造和衬底领域将继续出现更多无法支撑的企业。这一领域是半导体制造扩张最为迅猛的赛道，调整势在必行。那么，第三代半导体产业应如何应对这场即将到来的淘汰赛呢？

锌溴液流电池斩获工信部新型储能产品赛道技术创新奖！

12月26日—27日，为贯彻落实《关于推动能源电子产业发展的指导意见》有关部署，推动能源电子产业高质量发展，由工业和信息化部产业发展促进中心主办的第二届能源电子产业创新大赛——新型储能产品赛道暨第三届先进储能技术创新挑战赛决赛在溧阳举办。华电科工储能分公司联合华电（海西）新能源有限公司及江苏恒安储能科技有限公司共同参赛，凭借5kW/25kWh锌溴液流电池储能模块荣获创新产品赛道技术创新奖。

全球主要碳化硅衬底厂商产能情况分析

碳化硅（SiC）衬底作为第三代半导体材料的核心，近年来受到了广泛关注。其在电动汽车、新能源及高功率电子领域的广泛应用，使得市场对碳化硅衬底的需求持续增长。2023年全球碳化硅衬底的总体产能约为211.8万片/年。随着各大厂商的积极扩张，预计到2027年这一数字将大幅提升。碳化硅作为新能源领域的关键材料，其产能竞争已成为决定市场格局的重要因素。全球主要碳化硅厂商也加快了扩产步伐，以下为当前全球主要厂商的产能布局及规划概述。