三安光电湖南8英寸SiC芯片线完成调试

2025年8月，三安光电正式宣布其位于湖南的三安半导体基地已实现8英寸碳化硅芯片生产线全线贯通并投入运营，标志着国内领先的第三代半导体制造能力再次跃升。

星辰新能全球首个全自动化全钒液流工厂即将投产！

近日，北京星辰新能科技有限公司（以下简称“星辰新能”）发布信息，其打造的全球首个全自动化全钒液流工厂正式竣工，9月初全面投产。2023年5月，星辰新能首个全钒液流吉瓦工厂在常州武进国家高新区正式落成。仅仅3个多月，工厂就完成了吉瓦级产线投产，刷新了国内最快速液流电池工厂投产纪录。

氮化镓，正在反超SiC？

两种半导体——碳化硅和氮化镓——正展开一场（毫不夸张地说）激烈的竞争，争夺能够在最高温度下工作的电路。碳化硅芯片曾一度占据领先地位，工作温度可达600°C。但氮化镓凭借其独特的特性，使其在高温下性能更佳，现已超越碳化硅。宾夕法尼亚州立大学电气工程教授 Rongming Chu领导的研究人员设计出一款可在800°C（足以融化食盐）下工作的氮化镓芯片。